近两年由三星代工的高通旗舰芯片性能方面表现不佳，让用户把矛头直指 FinFET 晶体管工艺，现如今，三星宣布首发 GAA 晶体管工艺，主要用于即将来到的 3nm 芯片。
三星此次主张激进打法，率先使用 GAA 晶体管工艺代替已有的 FinFET 晶体管工艺，主要还是因为在 7nm 、5nm 及 4nm 上表现落后，早前还有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm工艺制程的良品率，以至于高通将会在 8 Gen 1 Plus 上就提前更换为台积电代工，不难看出三星的窘况。
GAA 是一种新型的环绕栅极晶体管，利用 GAA 结构可以实现更好的栅控能力和漏电控制，同时由于生产技术与 FinFET 基本相差无几，在成本控制上也会有优势，这也是为何三星急于研发 GAA 而几乎放弃对 FinFET 晶体管工艺进行优化。
根据报道，三星已经做好在韩国平泽市的P3工厂开工建设 3nm 晶圆厂的准备，预计今年6、7月份动工，并同时导入设备。按照这个进度，最快明年我们就能看到采用 3nm 工艺的新芯片量产，届时也将会是三星与台积电新一轮的正面交锋，你看好谁呢？
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